Measurement of the insensitive surface layer thickness of a PIN photodiode based on alpha-particle spectrometry
DOI:
https://doi.org/10.15392/2319-0612.2022.1789Palavras-chave:
Espectrometria Alfa, Diodo de Si, Fotodiodo PINResumo
Neste trabalho, a espessura da camada insensível de um fotodiodo PIN (SFH206K - Osram) foi medida variando o ângulo de incidência de um feixe colimado de partículas alfa monoenergéticas. Essa técnica se baseia no fato de que, exceto pelas incertezas intrínsecas da emissão e dispersão das partículas alfa, suas trajetórias em diferentes ângulos de incidência são distintas, sendo que as menores correspondem à incidência perpendicular à superfície do detector. O resultado obtido (711 ± 23) nm, inferior a 1% da espessura da camada intrínseca, além de validar o método empregado, demonstra que o diodo aqui investigado é adequado para espectrometria de partículas carregadas de alta resolução.
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